Техника и электроника

Как мы докладывали, с 2013 года организация Сони вместе с организацией Micron разрабатывает фирменную память вида ReRAM (резистивная память со невольным доступом). Представленная партнёрами система ячеи ReRAM смотрится как одна из наиболее поступательных в промышленности, но память ReRAM сегодня не разрабатывает лишь бездеятельный.

Сопоставление абстрактных и приобретенных квалифицированным оковём рабочих данных 16-Гбит ReRAM Сони

По опубликованной информации, эталоны 27-нм 16-Гбит чипов ReRAM Сони/Micron в режиме чтения работали со скоростью до 900 Мбайт/с, но в режиме записи — до 180 Мбайт/с (речь идёт лишь об одной микросхеме, а не о банке памяти!). Задержки чтения не превосходили 2 мкс, но задержки записи — менее 10 мкс. Однако самое главное, что площадь ячеи ReRAM Сони была равна условному значению 6F². Меньше площадь лишь у ячеи памяти DRAM, значение которой равно 4F². Это значит, что память ReRAM вполне может быть такой же крепкой, как материнская плата для ПК. До сегодняшнего дня с насыщенностью записи у новых типов энергонезависимой памяти было всё весьма слабо. Потому на подготовку Сони возложены определённые веры.

Память ReRAM Сони и Micron (конструкция в разрезе, изображение 2-ух располагающихся рядом ячей)

На вчерашнем симпозиуме VLSI Technology 2017 организация Сони рассказала, что она повысила ячейку ReRAM, существенно уменьшив площадь решения. Новая разработка дает возможность формировать ячейку резистивной памяти такой же площади — 4F², как и клетка DRAM. Определённо — это рекорд. С такой площадью в стековой сборке из 2-ух рабочих слоёв с расположением 2000 × 2000 частей в любом покрове и с применением 20-нм техпроцесса можно производить чипсеты ReRAM ёмкостью 100 Гбит.

Скелетная модель обновленной ячеи ReRAM Сони

Снизить площадь ячеи ReRAM удалось за счёт определенной модернизации её конструкции. Так, в составе ячеи был замечен ограничитель, срубающий «резервуар для ионов» от электролита «источника ионов». Барьер дает возможность ликвидировать неритмичность противодействия, создающегося в рабочем покрове (предупреждает обоюдную миграцию ионов меди из рабочего пласта в слой-источник). Так как опасность неравномерности ликвидирована, действующие габариты (площадь) ячеи можно снизить без риска потерять данные либо затруднить процесс их восстановления.

Характеристики правящего элемента и его конструкция после легирования лесом и углеродом

Иным новшеством в технологию изготовления ReRAM Сони стало дополнительное легирование переключающего элемента (тумблера Овшинского на базе халькогенидных плёнок) лесом и углеродом. Это дало вероятность понизить усилие переключения правящего ячейкой памяти элемента и, как следствие, снизить флюиды утечек. Стойкость к сносу такой памяти ReRAM создатели рассматривают на умопомрачительном для NAND уровне — порядка 10 млрд циклов стирания. О сроках прохода к групповому изготовлению подготовки, как досадно бы это не звучало, не докладывается. Есть соображение, что прежде 2020 года память ReRAM в качестве автономной памяти на рынке не будет.