Техника и электроника

Организация «Самсунг» Электроникс в новом формальном пресс-релизе рассказала о старте стокового изготовления 64-слойных микросхем флеш-памяти V-NAND (3D NAND) ёмкостью 256 Гбит. Необходимо уточнить, что урезанный выпуск 64-слойных микросхем 3D NAND организация «Самсунг» начала в четвёртом месяце минувшего года. Это сделало возможным «Самсунг» в начале января 2017 года применяя свежую память начать поставку квалифицированных SSD отдельным заказчикам компании. Добавим также, 64-слойные 256-Гбит микросхемы сконструированы на ячее с перспективой записи в каждую из них трёх бит данных (3D NAND TLC).

Глобальный стоковый выпуск 64-слойной 256-Гбит памяти 3D NAND TLC начался на чертах только-только заброшенного в строй нового автозавода компании возле города Пхёнтхэк (Pyeongtaek). Предназначенная производительность этого предприятия составляет 200 млн. 300-мм пластинок в неделю. На базовом раунде автозавод сумеет раз в месяц обрабатывать 40–50 млн. 300-мм пластинок с флеш-памятью 3D NAND. Однако даже этих объёмов хватит, чтобы в третьем полугодии организация сумела привести долю изготовления 64-слойных микросхем 3D NAND в потоке всего изготовления NAND-флеш до значения 50 % и превзойти его.

64-слойные микросхемы 256 Гбит V-NAND («Самсунг»)

На базе 64-слойных микросхем ожидается производить твердотельные накопители для мобильных телефонов, индивидуальных ПК и компьютеров. Вероятно, инициатива «Самсунг» сумеет оказать влияние на подобную отрицательную линию заключительных кварталов, как рост оптовых расценок на флеш-память. Потом 64-слойные микросхемы 3D NAND будут применены для производства карт памяти и вделываемой памяти, включая накопители UFS.

64-слойные микросхемы 256 Гбит V-NAND и 1-ТБ М.2 SSD («Самсунг»)

По сведениям «Самсунг», скорость передачи данных по одной линии 64-слойной памяти 3D NAND достигает 1 Гбит/с. Также новая память гарантирует быстрейшую в промышленности страничную запись (tPROG) на уровне 500 мкс, что вчетверо меньше значения, типического для планарной флеш-памяти 10-нм класса и в 1,5 раза стремительней, чем в случае 48-слойной 256-Гбит 3D NAND TLC «Самсунг». В конце концов, при одинаковой насыщенности записи энергоэффективность 64-слойной памяти на 30 % выше, чем у 48-слойной памяти (за счёт понижения усилия питания с 3,3 В до 2,5 В), и на 20 % поднята надёжность работы.

«Самсунг»

В заключение стоит отметить, что в третьем полугодии 2017 года соперники «Самсунг» — компании Toshiba, Western Диджитал и SK Hynix — рассчитывают начать изготовление не менее абсолютной памяти 3D NAND. Так, Toshiba и Western Диджитал спроектировали и приступят к групповому производству 512-Гбит 64-слойной памяти 3D NAND, но организация SK Hynix начнёт глобальный выпуск 256-Гбит 72-слойной 3D NAND. В двух вариантах насыщенность записи и себестоимость гарантируют очутиться лучше, чем у памяти «Самсунг» своевременного поколения. Это далеко не останется без решения. Автогонка за количеством слоёв и насыщенностью записи продолжится. Спереди 100-слойные чипсеты энергонезависимой памяти и 1-Тбит ёмкости.