Май 22nd, 2023 
matkiN133 Бенчмарк Geekbench открыл технологические характеристики телефона Галакси С8 Актив, который, как предполагается, скоро представит организация «Самсунг».
Докладывается, что аппаратной базой устройства будет служить платформа Snapdragon 835. Данный чипсет, спроектированный организацией Qualcomm, выполняется по 10-нанометровой технологии. Изделие имеет 8 вычисляемых ядер Kryo 280 с тактовой частотой до 2,45 ГГц, производительный графический катализатор Adreno 540 и сканер X16 LTE со скоростью закачки данных до 1 Гбит/с.
Телефон Галакси С8 Актив обретет пылевлагозащищённое выполнение. Также, пишется об стойкости к падениям, ударам, тряске и пульсациям.
Объём материнской платы составит 4 Гигабайт. Данные Geekbench рассказывают о том, что инструмент работает под регулированием ОС Андроид 7.1 Nougat.
Созерцатели считают, что новинка будет оборудована достаточно производительной аккумуляторной батареей ёмкостью около 4000 мА·ч. Также, упомянута помощь технологии беспроводной подзарядки.
Стоит отметить, что в I квартале этого года, по анализам, в мировом масштабе было продано 347,4 млрд телефонов. Это на 4,3 % больше сравнивая с первой четвертью 2016 года, когда поставки приравнивались 332,9 млрд штук.
Опубликовано в рубрике 
