Февраль 4th, 2024 
matkiN133 IT-корпорация IBM сообщила о разработке первых рабочих примеров микропроцессоров с транзисторами объемом 5 нанометров. Разработка проводилась вместе с фирмами GlobalFoundries и «Самсунг» Электроникс.
Новая система дает возможность располагать на одном чипсете объемом с наш ноготь до 30 млн транзисторов и применять их в самом разном оснащении — от телефонов до мировых кораблей. Первые во всем мире 7-нм чипсеты, анонсированные IBM 2 месяца назад, имели 20 млн транзисторов.
Отличная насыщенность расположения транзисторов в микросхеме повышает скорость прохождения знака между ними. В IBM говорят, что 5-нм решения на 40 % плодотворнее текущих 10-нм чипов либо на 75 % энергоэффективнее их при одинаковом быстродействии.
Показанный чипсет применяет свежий вид транзисторов, объединённых в так именуемые кремниевые нанолисты (silicon nanosheets). Они отправляют электроны через 4 затвора, тогда в истории с транзисторами FinFET (полагаютплемя наиболее современными в настоящее время на многочисленном рынке) речь идёт о трёх затворах. Система FinFET возникла в 22- и 14-нм полупроводниках, предполагается, что она останется в 7-нм чипсетах. Полупроводниковая область отступает от FinFET, так как система не может масштабироваться геометрически, сообщил президент по изысканиям полупроводниковых технологий IBM Research Мукеш Харе (Mukesh Khare).
«Уход за границы 7 нанометров считается значительной инновацией, — объясняет Харе. — Это инновация в полезном плане и том, как всё больше транзисторов планируют совместно. Данная конструкция транзисторов открывает маршрут к реальному 5-нм техпроцессу».
В настоящее время ещё рано рассуждать о платном выходе 5-нм микросхем (приблизительные сроки — 2020 год). Но известно, что для изготовления подобных решений IBM будет применять технологию фотолитографии в основательном ультрафиолете (extreme ultraviolet lithography, EUV).
Опубликовано в рубрике 
