Техника и электроника

Micron рассказала об еще одном этапе, который подчинился инженерам компании, работающим над скоростной графической памятью. Они сумели повысить скорость фирменных чипов GDDR5X до 16 Гбит/с на контакт (частота – 2000 МГц), гарантировав этим самым 60-процентный прирост пропускной возможности сравнивая с первыми чипами GDDR5X, которые пришли на рынок всего годом ранее. Необходимо припомнить, что память вида GDDR5X появилась в графических ускорителях Nvidiа GeForce 1080; скорость применяющейся в них памяти составляет 10 Гбит/с на контакт (частота – 1251 МГц).

Первоначально память вида GDDR5X была предложена как временное решение на пути прохода промышленности к перспективной GDDR6. Её изготовлением занимается только Micron, но компании удалось достичь больших результатов во внедрении своей подготовки за счет того, что GDDR5X была избрана Nvidiа для передовых ускорителей. И позже данный эталон был даже принят JEDEC, получив статус «формального» вида графической памяти. Нужно сообщить, что по специфики JEDEC скорости GDDR5X могут доноситься до 14 Гбит/с на контакт, но к настоящему времени в существующих графических картах можно повстречать только память со скоростью 11,4 Гбит/с на контакт – она применяется, например, в Nvidiа Титан Xp. Но в следующих поколениях передовых ускорителей вполне уместно ждать применения и не менее скоростной памяти, скорее всего, со скоростью 14 Гбит/с на контакт.

Завоевание же для GDDR5X пропускной возможности в 16 Гбит/с на контакт, о котором говорит Micron, пока не обозначает, что такая память готова к групповому изготовлению. Итог получен только в лабораторных условиях в экспериментальном центре в Мюнхене. Причём, применённая методика практически состояла в скрупулезном отборе наиболее успешных чипов из большой партии стоковых микросхем.

Будет ли организация совершать попытки предельного увеличения частоты для массово производимой GDDR5X, сообщить трудно. Все дело в том, что в не настолько далённой возможности на первый план должна выходить графическая память следующего стереотипа, GDDR6, которую будет производить не только лишь Micron, но также и иные компании – «Самсунг» и SK Hynix. Несмотря на то что для GDDR6 заявляются схожие высокоскоростные ориентиры, как и для GDDR5X (до 16 Гбит/с на контакт), такая память будет владеть рядом других плюсов. В их числе прежде всего необходимо отметить вероятность производства полупроводниковых кристаллов двойной ёмкости – до 16 Гбит; двухканальный внешний вид; и свежую 180-контактную обертку повышенной площади 14 x 12 миллиметров, применение которой должно понизить электрические наводки.

И сама Micron, говоря об успехах в разгоне собственной GDDR5X, подчеркивает, что они считаются признаком готовности к проходу на выпуск скоростной GDDR6-памяти, который организация рассчитывает осуществить в самом конце 2018 года. Приблизительно аналогичного видео графика начала изготовления GDDR6 соблюдает и SK Hynix.

Необходимо отметить, что при применении покрышки длиной 384 бит память со скоростью 16 Гбит/с на контакт может снабдить пропускную дееспособность видеопамяти до 768 Гигабайт/с. И это – приблизительно в два раза выше пропускной возможности HBM2-памяти многообещающих ускорителей AMD Radeon RX Vega. Опередить же нынешние характеристики пропускной возможности видеопамяти, сконструированной на чипсетах GDDR5X/GDDR6, воспользовавшись стековой памятью, можно только определив совместно с GPU 4 стека HBM2, – тогда полоска пропускания может доноситься до 1 Тбайт/с, однако такие конфигурации будут стоить по более высокой цене.