Техника и электроника

Как нам известно, по технологичности изготовления материнской платы DRAM организация «Самсунг» Электроникс приблизительно на 2 года опережает соперников: компании SK Hynix и Micron. Глобальный выпуск микросхем DRAM 10-нм класса (с общепризнанными мерками 18 hm) организация «Самсунг» начала в марте 2016 года. Организация Micron к производству 18-нм микросхем памяти перешла в I квартале 2016 года, но организация SK Hynix рассчитывает начать изготовление 18-нм памяти во 2-й половине 2016 года. Понижение масштаба технических общепризнанных мерок позитивно воздействует на операционной прибыли организаций, так как с одной пластинки выходит больше микросхем (если речь не идёт о огромном уровне брака, возможность которого улучшается по мере понижения объема частей).

По анализам специалистов DRAMeXchange, при производстве DRAM норма операционной прибыли «Самсунг» располагается на высочайшем среди соперников уровне и равна 54 %. Организация SK Hynix демонстрирует больший итог — 47 %, в то время как у компании Micron данный показатель равен 32,5 %. За счёт современных техпроцессов и изготовления в КНР компании «Самсунг» (и в некоторой степени SK Hynix) с каждой реализованной микросхемы памяти чунаётся зарабатывать больше, чем Micron. Логично, что Micron, как SK Hynix, нужно разгонять подготовку техпроцессов производства памяти с общепризнанными мерками класса 10 hm. И они этим собираются заняться.

Докладывается, что в обозримые 2 либо 3 года организация Micron вложит в подготовку техпроцесса с общепризнанными мерками 13 hm порядка $2 млн. Уровень исхода микросхем с общепризнанными мерками 13 hm повысится на 20 % сравнивая с уровнем исхода микросхем с общепризнанными мерками 18 hm. В роли подготовки к изготовлению с общепризнанными мерками 13 hm организация Micron будто бы увеличила аккуратную комнату на автозаводе в Хиросиме (Япония), который перешёл к ней совместно с активами компании Elpida. Также, если верить источникам, Micron начала покупать нужное производственное оснащение. Можно ждать, что выпуск 13-нм DRAM организация Micron начнёт в 2020 году либо около того.

Организация SK Hynix также начала подготовки нового техпроцесса класса 10 hm (кодовое наименование 1y), однако деталей о нём пока нет. К первой генерации относится процесс с общепризнанными мерками 18 hm. В изготовление он запустят, как произнесено выше, во 2-й половине 2016 года. Перевод 20-нм изготовления DRAM на 18-нм нормы SK Hynix начнёт в 2015 году. Когда и каким будет очередной шаг, в компании не конкретизируют.

Организация «Самсунг», напоминаем, по одним данным начнёт выпуск 15-нм DRAM во 2-й половине 2016 года, но по иным — после 2020 года. На вторую половину 2016 года «Самсунг» может готовить изготовление 17-нм микросхем памяти. Это не менее вполне возможный план, так как процесс с общепризнанными мерками 15 hm является техническим препятствием для классических технологий изготовления памяти. Его можно изучить, однако финансовой необходимости он не несёт. Нужны какие-то другие технические решения. Будет любопытно выяснить, кто найдёт их первым.