837243bc

SK Hynix разрабатывает 96- и 128-слойную 3D NAND

С подачи компании «Самсунг» флеш-память начала увеличиваться ввысь, повышая ёмкость за счёт наращивания числа слоёв при прежней () площади кристалла. Сегодня «Самсунг» и Toshiba изучили многочисленное изготовление 64-слойной памяти 3D NAND. Очередным шагом, возможно, будет 80-слойная память, если базироваться на раньше подобранный фирмами шаг наращивания числа слоёв от поколения к поколению. Также любая из них смогла рассказать, что к 2020 году они сумеют производить 1-Тбит 100-слойные микросхемы 3D NAND. О таких среднесрочных перспективах безмолвствовала лишь организация SK Hynix, однако в эти дни наши коллеги с веб-сайта Tom’с Hardware разъяснили картину с многообещающими проектами этого южнокорейского компании-производителя.


 wsj.com

wsj.com

Докладывается, что SK Hynix поочередно перейдёт на выпуск 512-Гбит 96-слойной 3D NAND, а потом на изготовление 1-Тбит 128-слойной флеш-памяти. Произойдёт это через 3 года, впрочем виды возникновения 128-Гбайт кристалла энергонезависимой памяти удивляют даже в настоящее время. Это значит возникновение сравнительно подходящих 1-Тбайт SSD и совместное повышение мощности компьютеров и настольных систем.

 36-cлойная память SK Hynix 3D NAND (3D-V2). Картинка TechInsights

36-cлойная память SK Hynix 3D NAND (3D-V2). Картинка TechInsights

На данный момент организация SK Hynix делает изготовление к групповому производству 256-Гбит 72-слойной 3D NAND TLC. Выпуск данной продукции запланирован на вторую половину года. Старт глобального изготовления 72-слойной памяти организация гарантировала начать ещё осенью, однако этого, пока, не случилось. Этим самым возникли опаски, что SK Hynix также не сделает другое обязательство — начать глобальный выпуск 512-Гбит 72-слойной памяти в середине 2016 года. Не трудно догадаться, что в середине года нам доложат только о подготовке технологии производства этих микросхем, но многочисленное изготовление начнётся осенью.

 Память SK Hynix NAND

Память SK Hynix NAND

К слову, 96-слойная память также заявлена в качестве 512-Гбит решений, что ставит под колебание необходимость налаживания производства 512-Гбит 72-слойной 3D NAND. Любопытно, обозначает ли это, что выпуск 96-слойной 3D NAND организация SK Hynix сумеет начать скорее всего прежде, чем позднее?

Вы можете оставить комментарий, или ссылку на Ваш сайт.

Оставить комментарий