Январь 31st, 2024 
matkiN133 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), по данным сетевых источников, собирается осуществить изготовление чипов памяти следующего поколения.
Речь идёт об продуктах MRAM и RRAM для вделываемых механизмов. Напоминаем, что MRAM — это магниторезистивная память с случайным доступом: информация в этом случае находится с помощью магнитных факторов, а не спортивных зарядов. Что же касается RRAM, то это резистивная память с случайным доступом, механизм работы которой состоит в изменении противодействия ячеи памяти под действием вложенного усилия. Принципиально обозначить, что оба вида памяти считаются энергонезависимыми, другими словами могут сохранять вписанную информацию при неимении внутреннего питания.
Так вот, докладывается, что TSMC рассчитывает осуществить рисковое изготовление eMRAM (Embedded MRAM) в 2018 году, но eRRAM — в 2019. При этом ожидается использовать 22-нанометровую технологию.
Предполагается, что изделия eMRAM и eRRAM, произведенные на чертах TSMC, будут использоваться в системах для «интеллектуальных» авто, приборах Сети-интернет вещей, различных мобильных устройствах и прочие.
Стоит отметить также, что в 2016 году TSMC рассчитывает начать глобальный выпуск продукции с использованием передовой 7-нанометровой технологии. Данная методика будет применяться при производстве микрочипов для мобильных телефонов, систем высокопроизводительных вычислений и авто техники.
Опубликовано в рубрике 
