Апрель 27th, 2023 
matkiN133 В начале апреля организация Intel перешла к платным поставкам твердотельных накопителей в серии Optane. От других SSD модификации Optane различаются тем, что вместо классической NAND-флеш применяют энергонезависимую память, работающую по другому принципу. Создатели представили свежий вид памяти оглушительным названием «3D XPoint». На самом деле, мы имеем дело с памятью на базе изменяемого фазисного положения вещества, принцип которой предложен около 60 лет тому назад. Тот же принцип применяется для производства переоформляемых зрительных дисков от CD-RW до Blu-Ray RW. Рабочий пласт ячеи PRAM (Phase-change Random Access Memory), как и рабочий пласт CD-RW, под влиянием нагрева (током либо лазером, что не сущность принципиально) меняет своё положение из бесформенного в кристальное и назад.
Так вот, Intel начала поставки SSD Optane с памятью 3D XPoint. Эксперты компании TechInsights получили 16-Гбайт версию Intel Optane М.2 и открыли чипсет памяти, со снимком которого могут предложить познакомиться всем желающим. Однако начнём мы с совместных характеристик новинки.
Чипсет памяти представляет из себя один микролит со гранями 16,16×12,78 миллиметров (габариты упаковки составляют 17,6×13,7 миллиметров). Площадь кристалла равна 206,5 миллиметров². При этом результативность расположения памяти (по отношению к сопутствующей обвязке и интерфейсам) высочайшая в области и равна 91,4 %. Для аналогии, результативность расположения памяти в 48-слойных чипсетах «Самсунг» 3D V-NAND равна 70 %, но в чипсетах Intel/Micron 3D FG NAND — 84,9 %.
Микролит 16 Гигабайт Xpoint Memory (TechInsights)
Все-таки, сравнительные габариты ячеи 3D XPoint всё ещё несут на себе след наследства PRAM — они относительно велики, если ассоциировать их с ячеями NAND. Насыщенность памяти в микросхемах 3D XPoint, которые сегодня производятся с применением 20-нм техпроцесса, равна 0,62 Гбит/миллиметров². Насыщенность памяти в чипсетах Toshiba/SanDisk и «Самсунг» 3D 48L TLC NAND равна 2,5 Гбит/миллиметров², в 15-нм чипсетах Toshiba/SanDisk 2D TLC NAND — 1,28 Гбит/миллиметров². Но несмотря на это насыщенность памяти 3D XPoint значительно выше насыщенности материнской платы DRAM: в 4,5 раза, если ассоциировать с 20-нм DRAM, и в 3,3 раза выше сравнивая с 18-нм DRAM «Самсунг». Это то, что сотворит память 3D XPoint любопытной в качестве модулей памяти.
Секция памяти 3D XPoint в разрезе под микроскопом (TechInsights)
Обнаружение микросхем 3D Xpoint также продемонстрировало, как смотрятся ячеи PRAM в выполнении Intel и Micron. Ячеи размещены между 4 и 5 уровнями железных слоёв и контактируют с 4 железным слоем. В роли рабочего источника ячеи назван яд (As) с примесями в качестве халькогенида (Se-Ge-Si). В заключение работники TechInsights дополняют, что внутри чипсета 3D XPoint отыскалось ещё очень много любопытного, о чём они в скором времени гарантируют поведать.
Опубликовано в рубрике 
