Техника и электроника

Юная австралийская организация 4DS Memory Limited продолжает улучшать энергонезависимую память вида ReRAM (резистивную с случайным доступом). К этому дню показано довольно много видов резистивной памяти. Определенные даже предрасположены лицезреть ReRAM в памяти Intel 3D XPoint, впрочем заключительная применяет ячейку с изменяемым фазисным положением вещества.

Абсолютное большинство модификаций ReRAM, если мы сообщаем о ячее с изменяемым противодействием, полагаются на такое явление, как конвертируемое образование в составе рабочего пласта ячеи постоянных токопроводящих нитей из ионов меди, золота либо иных металлов. Клетка ReRAM компании 4DS Memory действует по другому принципу. Она в корне меняет своё противодействие под влиянием тока во всём рабочем покрове. Система так и именуется «Interface Switching ReRAM», но патентованная клетка называется MOHJO (Metal Oxide Hetero Junction, сплав окисный переход с обратными состояниями).

Суммарный принцип компании перекрёстной памяти ReRAM (Crossbar)

Совместная неприятность памяти ReRAM, говорят в компании 4DS Memory, состоит в чересчур огромных задержках в режимах чтения. Это далеко не дает возможность ReRAM стать полновесным заменителем памяти вида DRAM и внести в работу материнской платы энергонезависимость. Сущность неприятности в том, что формирование токопроводящих нитей в ячее ReRAM несколько непредвиденно, что имеет связь с неоднородностями в источнике рабочего пласта. Утрируя, всегда что-нибудь может пойти не так. Прежде всего, для гарантированного создания ионизованных телеканалов понадобится повысить рабочий поток. Во-вторых, значительно затруднить механизмы корректировки погрешностей. Последнее ведёт к значительным задержкам в ходе восстановления данных.

Состав ячеи памяти ReRAM компании 4DS (4DS)

Память 4DS ReRAM независима от «совпадений» в ходе работы с ячеями памяти. Рабочий пласт ячеи 4DS целиком переводится из одного положения в другое и не находится в зависимости от вероятных неоднородностей. Это убирает потребность в исправлении рабочих токов (понижает разброс характеристик) и ведёт к весьма обычному механизму корректировки погрешностей без больших задержек. Проверки продемонстрировали, что по скорости работы память 4DS ReRAM продвигается к скорости работы материнской платы DRAM.

Обновлённая патентованная клетка памяти ReRAM компании 4DS (4DS)

И что нам с данной подготовки неизвестной австралийской компании, узнают читатели? Все дело в том, что с организацией 4DS Memory 3 года подряд плотно действует отделение Hitachi GST компании Western Диджитал. И более того, между Hitachi GST и 4DS Memory заключено стратегически важное соглашение о партнёрстве, что дает возможность рассчитывать на сравнительно быстрое возникновение ReRAM в качестве платных товаров. Произойдёт это далеко не послезавтра, однако на протяжении трёх–5-и лет можно ждать возникновения первых товаров на базе ReRAM.